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半導體管特性圖示儀偏轉系數

更新時間:2022-12-22點擊次數:635

半導體管特性圖示儀 型號:QT-2B

* QT-2B半導體管特性圖示儀可根據需要測量半導體二**管、三**管的低頻直流參數,**大集電**電流可達50A,基本滿足功率500W以下的半導體管的測試。
* 本儀器還附有高壓的測試裝置,可對5000V以下的半導體管進行擊穿電壓及反向漏電流測試,其測試電流**高靈敏度達到0.5uA/度。
* 本儀器所提供的基**階梯信號還具有脈沖階梯輸出,因此可擴大測量范圍及對二次擊穿特性的測量。
* 本儀器帶階梯偏置電壓(△VB), -6V~+6V連續(xù)可調。特別適宜大功率VMOS管測試。
1. 集電**電流偏轉系數
  a)  集電**電流范圍(Ic): 1μA/度~5A/度。按1、2、5進制分21檔級,各檔誤差不大于3%。
  b)  二**管電流范圍(ID) :1μA/度~500μA/度。1、2、5進制分9檔,各檔誤差不大于3%。
  c)  集電**電流及二**管電流倍率×0.5,誤差不大于10%。
  d)  基**電流或基**源電壓0.1V/度,誤差不大于3%。
 2. 集電**電壓偏轉系數
  a)  集電**電壓范圍(Uc): 10mV/度~50V/度。按1、2、5進制分21檔級,各檔誤差不大于3%。
  b)  二**管電壓范圍(UD): 100V/度~500V/度。按1、2、5進制分3檔級,各檔誤差不大于10%。
  c)  基**電壓范圍(UBE):10mV/度~1V/度按1、2、5進制分7檔級,各檔誤差不大于3%。
 d)  基**電流或基**源電壓::0.05V/度,誤差不大于3%。
 3. 基**階梯信號
  a)  階梯電流范圍(IB): 10uA/度~200mA/度。按1、2、5進制分17檔級,各檔誤差不大于5%。
  b) 階梯電壓范圍(UB): 50mV/度~1V/度。按1、2、5進制分5檔級,各檔誤差不大于5%。
  c) 串聯電阻:0Ω、10KΩ、100KΩ,各檔誤差不大于10%。
d) 階梯波形:分正常(100%)及脈沖二檔。脈沖階梯占空比調節(jié)范圍為10~40%。
e) 每簇級數:0~10級,連續(xù)可調。
f) 階梯偏置電壓(△VB):-6V~+6V,連續(xù)可調。
g) 階梯作用:分重復、關、單次三檔級。
h) 階梯輸入:分正常、零電流、零電壓三檔級。
i) 階梯**性:分正、負二檔。
 4. 集電**掃描電壓
  a)  輸出電壓與檔級: 0~10V    正或負連續(xù)可調
                                 0~50V    正或負連續(xù)可調
                                 0~50V    正或負連續(xù)可調
                                 0~100V   正或負連續(xù)可調
                                 0~500V   正或負連續(xù)可調
b)  輸出電流容量:     0~10V    50A(脈沖階梯工作狀態(tài)時)
                     0~10V    20A(平均值)
                     0~50V    10A(平均值)
                     0~100V   5A (平均值)
                     0~500V   0.5A(平均值)
 c)  功耗限制電阻:    0~500KΩ  按1、2、5進制分20檔級,各檔誤差不大于10%。
 d)   整流方式:       全波
e)  輸出**性:     +,-
f)  集電**容性電流; 平衡后不超過2uA(10V檔)
g)  集電**漏電流;    平衡后不超過2uA(10V檔)
 5. 二**管測試裝置
a)         輸出電壓:       0~5000V    正向連續(xù)可調
b)         輸出電流容量:   **大為5mA
c)         整流方式:       半波
6. 其他
a)   適配器      
          高壓測試座、三**管測試座、 功率三**管測試座
b)   重量   約30kg。
c)   外形尺寸
    300mm×408mm×520mm(W×H×D)。
d)  功耗:    非測試狀態(tài)時: 約80VA;
             **大功率時:   約300VA。
e)   輸入電壓:   220V±10%;
f)   頻率:       50HZ±5%。
g)   示波管:     15SJ118-DC     有效工作面8×10cm。
h)  電磁兼容性
       傳導干擾應符合GB/T 6833.9中第1章的要求。
       輻射干擾應符合GB/T 6833.10中第1章的要求。
       環(huán)境應符合GB/T 6587.1中Ⅱ級儀器的規(guī)定,運輸試驗按2級


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